單晶硅作為一種比較活潑的非金屬元素晶體，是晶體材料的重要組成部分，主要用作半導體材料和利用太陽能光發(fā)發(fā)電、供熱等。在單晶硅生產(chǎn)過程的制絨、刻蝕、酸洗等環(huán)境，會用到大量氫氟酸等化學物質，從而使得廢水中氟離子含量高，給光伏、半導體等廢水的處理帶來了挑戰(zhàn)。

對于含氟廢水的處理，目前國內大多數(shù)生產(chǎn)廠尚無完善的處理設施，所排放的廢水氟含量超過國家排放標準，會嚴重污染到環(huán)境。目前國內外常用的含氟廢水處理方法大致分為兩類，即沉淀法和吸附法。

化學沉淀法是方法簡單、處理方便，費用低，但處理后的廢水氟含量一般只能降到15mg/L，而且存在泥渣沉降緩慢，脫水困難，不適用連續(xù)處理連續(xù)排放等缺點。吸附法一般只適用于低濃度的含氟廢水或經(jīng)其他方法處理后氟化物濃度降至10-20mg/L的廢水。

深度除氟劑針對化學沉淀法以及吸附法無法再降低的低濃度含氟廢水，進行深度處理，可降至0.5mg/L，且相比市面其它產(chǎn)品而言，污泥能夠減少30-50%，能夠幫助客戶節(jié)約成本。